DIN 41877-1971

半导体器件的6A3 型外壳. 主要尺寸

Case 6 A 3 for semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)

IEC 60191-2 AMD 15-2006

半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件15

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 2: Dimensions

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2006-07-01

GB 9500-1988

电子元器件详细规范 3DG107型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component. Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG107

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1988-06-25  实施日期：1988-12-01

BS IEC 60747-9-1998

分立半导体器件和集成电路.隔离栅二极晶体管(IGBTs)

Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) Semiconductor devices Discrete devices Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) Dispositifs a semic...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1998-12-15

SJ 1067-1976

３ＤＧ２００、２０１、２０２硅ＮＰＮ平面型高频小功率三极管（二、三类）

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1977-01-01

GB 7580-1987

电子元器件详细规范 3DD102B型低频放大管壳额定的双极型晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components. Case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification, type 3DD102B

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1987-03-27  实施日期：1987-11-01

SJ 50033/22-1994

半导体分立器件 ２ＣＣ５１Ｅ型硅电调变容二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon tuning varactor diode for type 2CC51E

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

IEC 60747-16-6-2019

半导体器件第16-6部分：微波集成电路倍频器

Semiconductor devices - Part 16-6: Microwave integrated circuits - Frequency multipliers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49() | 发布日期：2019-06-01 

IEC 60747-3 AMD 1-1991

半导体器件 分立器件 第3部分:信号二极管(包括开关二极管)及调整二极管 修改1

Semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管)

GB/T 4931-1985

氦氖激光器系列型谱

The series and type spectrum for helium neon lasers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1985-01-29  实施日期：1985-09-01

IEC 60747-4 Edition 2.1-2017

半导体器件分立器件第4部分：微波二极管和晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)

IEC 60747-5-13-2021

半导体器件. 第5-13部分: 光电器件. LED封装的硫化氢腐蚀试验

Semiconductor devices - Part 5-13: Optoelectronic devices - Hydrogen sulphide corrosion test for LED packages

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：2021-06-01 

IEC/PAS 60191-6-18-2008

半导体装置的机械标准化.第6-18部分:表面安装的半导体器件封装外形图绘制的一般规则.焊球网格阵列(BGA)的设计指南

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-18: General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages - Design guide for ball grid arra...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)

IEC/PAS 60191-6-19-2008

半导体装置的机械标准化.第6-19部分:升温时包裹热变形和最大允许热变形的测量方法

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-19: Measurement methods of package warpage at elevated temperature and the maximum permissible warpage

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)

IEC 60747-7 AMD 1-1991

半导体分立器件和集成电路.第7部分:双极晶体管.修改件1

Semiconductor discrete devices and integrated circuits

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管)

IEC 60747-8 AMD 1-1991

第1次修改

Semiconductor devices

中国标准分类号： L44(场效应器件) ； L40(半导体分立器件综合)

IEC 60747-8 AMD 2-1993

第2次修改

Semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L44(场效应器件)

IEC 60747-8-2021

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

Semiconductor devices – Discrete devices – Part 8: Field-effect transistors

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L44(场效应器件)

ASTM F487-2013

1%纯铝的标准规范半导体引线焊接用硅线

Standard Specification for Fine Aluminum&x2013

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)

SJ 169-1965

半导体三极管反向击穿电压的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1965-11-17