SJ 50033/64-1995

半导体分立器件３ＣＤ０１０型低频大功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CD010 low-frequency and high-power transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 193-1965

硅整流二极管热阻的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1965-11-17

NF C96-005-1994

分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件

Discrete devices and integrated circuits. Part 5 : optoelectronic devices.

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40,L55() | 实施日期：1994-08-01

SJ 88-1965

硒整流堆的典型连接电路

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1965-10-01

GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：2012-12-31  实施日期：2013-06-01

BS EN 60700-1-1999

高压直流(HVDC)电力传输半导体闸流阀.电气试验

Thyristorventile fuer HochspannungsgleichstromEnergieuebertragung. Elektrische Pruefung Thyristor valves for high voltage direct current (HVDC) power transmission Part 1:Electrical testing Valves a thy...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1999-02-15

SJ 917-1974

３ＡＤ５０型ＰＮＰ锗低频大功率三极管

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1976-03-01

IEC 63145-1-2-2022

眼镜显示器第1-2部分：通用术语

Eyewear display – Part 1-2: Generic – Terminology

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他)

SJ 310-1972

半导体大功率三极管功率增益的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管)

GB/T 4937.15-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 15: Resistance to soldering temperature for through-hole mounted devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2018-09-17  实施日期：2019-01-01

GB/T 4937.18-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐照(总剂量)

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 18: Ionizing radiation (total dose)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2018-09-17  实施日期：2019-01-01

IEC 60700-1 AMD 1-2003

高压直流(HVDC)电力传输用可控硅阀门.第1部分:电气试验.修改件1

Thyristor valves for high voltage direct current (HVDC) power transmission - Part 1: Electrical testing

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件)

IEC 60700-1 Edition 1.2-2008

高压直流电(HVDC)电力传输用晶闸管阀.第1部分:电测试

Thyristor valves for high voltage direct current (HVDC) power transmission - Part 1: Electrical testing

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件)

SJ 20055-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０２型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK102

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

DIN EN 61788-9-2006

超导性 第9部分:疏松高温超导体的测量 大晶粒氧化物的捕获磁通密度

Superconductivity - Part 9: Measurements for bulk high temperature superconductors - Trapped flux density of large grain oxide superconductors (IEC 61788-9:2005)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 实施日期：2006-03-01

SJ 911-1974

２ＤＷ２３０～２３６型硅平面温度补偿稳压二极管

Detail specification for silicon planar temperature compensation voltage regulator diodes,Type 2DW230~236 ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1975-10-01

SJ/T 11767-2020

二极管低频噪声参数测试方法

Measurement method of low-frequency noise parameters for diodes

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：2020-12-09  实施日期：2021-04-01

IEC 60191-6-18 CORR 2-2010

半导体器件的机械标准化.第6-8部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.球栅阵列(BGA)的设计指南

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-18: General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages - Design guide for ball grid arra...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2010-07-01

NF C86-818-1981

电子元件 ＣＥＮＥＬＥＣ质量保证系统 特定环境温度整流二极管 特殊规范汇编

Harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Ambient rated rectifer diodes.

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件)

GB/T 11499-2001

半导体分立器件文字符号

Letter symbols for discrete semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2001-11-05  实施日期：2002-06-01