Detail specification for electronic component. Ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification type 3DX201A,3DX201B,3DX201C
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1986-05-06 实施日期：1986-12-01
Standard for handling, packing, shipping and use of moisture/reflow sensitive surface mount devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2000-08-22 实施日期：2000-08-22
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 20: Resistance of plastic encapsulated SMDs to the combined effect of moisture and soldering heat
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2020-08-01
Detailed specifications for electronic components - 4CS1191 high frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistors (Applicable for certification)
中国标准分类号： L44(场效应器件) ； L04(基础标准与通用方法) | 发布日期：2010-02-25 实施日期：1997-01-01
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle structures
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2016-01-07
Liquid crystal display devices - Part 4-1: Matrix colour LCD modules - Essential ratings and characteristics
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 实施日期：2004-11-01
Practice for Determining Safe Current Pulse Operating Regions for Metallization on Semiconductor Components
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1979-01-01
Detail specification for electronic component. Case-rated bipolar transistor for type 3DD201 for low-frequency amplification
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1987-03-27 实施日期：1987-11-01
Semiconductor devices – Reliability test method for silicon carbide discrete metal?oxide semiconductor field effect transistors – Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation...
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49()
Semiconductor devices – Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49()
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49() | 发布日期：1994-05-25 实施日期：1994-05-25
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 3: External visual examination
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2003-08-01
Detailed specifications for electronic components - 4CS119 high frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistors (Applicable for certification)
中国标准分类号： L44(场效应器件) ； L04(基础标准与通用方法) | 发布日期：2010-02-25 实施日期：1997-01-01
Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 2: Dimensions
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2001-03-01
Semiconductor devices - Part 1: General
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2008-09-01
Supplement E - Essential ratings and characteristics et semiconductor devices and general principles of measuring methods - Part 0: General and terminology
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：1979-01-01 实施日期：1979-01-01
Parameters testing method of laser power meter in low range
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-04-01
Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6: General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2009-11-26
Detail specification for silicon NPN diffused mesa low-frequency high power transistors,Type 3DD257 and 3DD258
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1981-06-01
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 29: Latch-up test
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2003-11-04 实施日期：2003-11-04
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