SJ/T 11845.3-2022

基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第3部分:二极管

Reliability evaluation methods for electronic components and devices based on low frequency noise Part 3:Diode

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：2022-10-20  实施日期：2023-01-01

SJ 50033.46-1994

半导体分立器件 ２ＣＺ５９型硅整流二极管详细规范

Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ59 silicon rectifier diode

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

GB 7576-1987

高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范(可供认证用)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1987-11-01

GB 11153-1989

激光小功率计性能检测方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1989-03-03  实施日期：1990-04-01

ASTM F1709-1997(2002)

电子薄膜用高纯度钛溅射靶机的标准规范

Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1997-12-10

IEC 61788-14-2010

超导性.第14部分:超导功率元件.设计用于超导功率元件的电流导线特性试验的一般要求

Superconductivity - Part 14: Superconducting power devices - General requirements for characteristic tests of current leads designed for powering superconducting devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 实施日期：2010-06-24

IEC 60747-7-3-1991

半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第3节:开关用双极晶体管空白详细规范

Semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1991-08-02  实施日期：1991-08-02

IEC 60747-7-2-1989

半导体器件 分立器件 第7部分:双极晶体管 第2节:低频放大外壳额定双极晶体管空白详细规范

Semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1989-03-31  实施日期：1989-03-31

GB/T 4799-1984

气体激光器型号命名方法

The denominating method of type for gas lasers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1984-12-26  实施日期：1985-08-01

ISO 20294-2018

图形技术. 用于计算电子媒体的碳足迹的量化和通信(第一版)

Graphic technology - Quantification and communication for calculating the carbon footprint of e-media (First Edition)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49() | 发布日期：2018-11-01 

SJ 1807-1981

２ＣＣ１２０（１２２、１２４）～２ＣＣ４２０（４２２、４２４）型硅调* 16

Detail specification for silicon tuning variable capacitance diodes,for Type 2CC120,2CC122 and 2CC124

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1982-01-01

BS EN 60749-31-2003

半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分:塑料封装器件(内部感应的)易燃性

Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Pruefverfahren. Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehaeusen (Selbstentzuendung) Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2003-07-04

SJ/T 11460.4-2018

液晶显示用背光组件 第4部分:量子点背光组件 空白详细规范

Backlight units for liquid crystal displays.Part 4: Quantum dots backlight unit.Blank detail specification

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 发布日期：2018-10-22  实施日期：2019-01-01

IEC 60747-18-2-2020

半导体器件. 第18-2部分: 半导体生物传感器. 无透镜CMOS光子阵列传感器封装模块的评估程序

Semiconductor devices - Part 18-2: Semiconductor bio sensors - Evaluation process of lens-free CMOS photonic array sensor package modules

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 发布日期：2020-02-01 

NF C86-811-1978

电子元件 ＣＥＮＥＬＥＣ质量保证系统 专用外壳温度的可控硅 特殊规范

Harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification. Case-rated thyristors.

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件)

SJ/T 10060-1991

电子元器件详细规范 ２ＣＺ１１７型环境额定硅整流二极管

Detail specification for electronic components--Ambient rated silicon rectifier diode,Type 2CZ117

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1991-07-01

GB 9509-1988

电子元器件详细规范 3DA1514型硅NPN环境额定高频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components. Ambient-rated transistor for type 3DA1514 silicon NPN for high frequency amplification

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1988-06-28  实施日期：1989-02-01

IEC 60747-1-2006

半导体器件.第1部分:总则

Semiconductor devices - Part 1: General

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2006-02-21

IEC 61747-4-1998

液晶和固态显示器件 第4部分:液晶显示模块和屏 基本额定值和特性

Liquid crystal and solid-state display devices - Part 4: Liquid crystal display modules and cells - Essential ratings and characteristics

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 实施日期：1998-09-01

ASTM F78-1997(2002)

使用副标准件校准氦检漏仪的试验方法

Standard Test Method for Calibration of Helium Leak Detectors by Use of Secondary Standards

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1997-12-10