IEC TR 60825-3-2022

激光产品的安全第3部分：激光显示器和显示器指南

Safety of laser products – Part 3: Guidance for laser displays and shows

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他)

IEC 61747-30-3-2019

液晶显示器. 第30-3部分: 液晶显示模块测量方法. 有源矩阵液晶显示模块的运动伪影测量

Liquid crystal display devices - Part 30-3: Measuring methods for liquid crystal display modules - Motion artefact measurement of active matrix liquid crystal display modules

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 发布日期：2019-08-01 

SJ/T 11060-1996

电子元器件详细规范 3DG3130型高频放大环境额定双极型晶体管（可供认证用）

Detailed specifications for electronic components - 3DG3130 ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification (Applicable for certification)

中国标准分类号： L40(半导体分立器件综合) ； L04(基础标准与通用方法) | 发布日期：2010-02-25  实施日期：1997-01-01

SJ 50033/68-1995

半导体分立器件ＢＴ５１型ＮＰＮ硅小功率差分对晶体管详细规范

Semiconductors discrete device--Detail specification for Type BT51 NPN-silicon small power difference matched-pair transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

NF C86-010-1986

半导体器件.电子器件质量评估协调体系电子元件.半导体分立器件.一般规范

Semiconductor devices. Harmonized system of quality assessment for electronic components. Discrete semiconductor devices. Generic specification.

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1986-10-01

SJ 1808-1981

硅普通变容二极管测试方法总则

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49() | 实施日期：1982-01-01

DIN EN 62416-2010

半导体器件 MOS晶体管的热载子试验

Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：2010-12-01

SJ 1614-1980

３ＡＫ８０４型ＰＮＰ锗开关三极管

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1981-01-01

SJ 50033/83-1995

半导体分立器件ＣＳ１３９型硅Ｐ沟道ＭＯＳ增强型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

IEC 60527-1975

直流放大器 特性和试验方法

Direct current amplifiers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：1975-01-01  实施日期：1975-01-01

SJ 50033/28-1994

半导体分立器件 ２ＣＶ３３４、２ＣＶ３３３８型微带混频二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for stripline mixer diodes for 2CV334,2CV3338

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 2134-1982

2DH1~13型硅稳流二极管

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1982-08-20  实施日期：1983-01-01

DIN EN 60749-23-2004

半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分:高温寿命

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 23: High temperature operating life (IEC 60749-23:2004)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2004-10-01

IEC 60747-6-2-1991

半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第2节:电流在100A以下的环境或外壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

Semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 发布日期：1991-06-17  实施日期：1991-06-17

IEC 61788-9-2005

超导性.第9部分:成批高温超导体的测量.大粒氧化物超导体的陷波流量密度

Superconductivity - Part 9: Measurements for bulk high temperature superconductors - Trapped flux density of large grain oxide superconductors

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 实施日期：2005-04-21

ASTM F1192-2000

半导体器件重离子照射感应产生的单件信号现象的测量标准指南

Standard Guide for the Measurement of Single Event Phenomena (SEP) Induced by Heavy Ion Irradiation of Semiconductor Devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2000-06-10

SJ/T 1477-2016

半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices.Detail specification for type 3CG120 high frequency low power PNP silicon transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：2016-04-05  实施日期：2016-09-01

IEC 60749-34-2010

半导体器件.机械和环境测试方法.第34部分:电力循环

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 34: Power cycling

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2010-10-28

ITU-T I.501-1993

互通服务(研究组18)11页

Service interworking

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1993-03-12

GB/T 12560-1999

半导体器件 分立器件分规范

Semiconductor devices--Sectional specification for discrete devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：1999-08-02  实施日期：2000-03-01