SJ 50033/85-1995

半导体分立器件ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS141 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 50033/24-1994

半导体分立器件 ３ＤＫ３１０型功率开关晶体管详细规范

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 1831-1981

３ＤＫ２８型ＮＰＮ硅外延平面小功率开关三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar low power switching transistors,Type 3DK28

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1982-05-01

SJ 790-1974

３ＤＧ１２１型ＮＰＮ硅外延平面高频小功率三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar high frequency low power transistors,Type 3DG121 ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1974-10-01

SJ 50033/23-1994

半导体分立器件 ３ＤＫ３０９型功率开关晶体管详细规范

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033/22-1994

半导体分立器件 ２ＣＣ５１Ｅ型硅电调变容二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon tuning varactor diode for type 2CC51E

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 50033/64-1995

半导体分立器件３ＣＤ０１０型低频大功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CD010 low-frequency and high-power transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：2012-12-31  实施日期：2013-06-01

GB/T 4937.15-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 15: Resistance to soldering temperature for through-hole mounted devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2018-09-17  实施日期：2019-01-01

GB/T 4937.18-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐照(总剂量)

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 18: Ionizing radiation (total dose)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2018-09-17  实施日期：2019-01-01

SJ 20055-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０２型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK102

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 911-1974

２ＤＷ２３０～２３６型硅平面温度补偿稳压二极管

Detail specification for silicon planar temperature compensation voltage regulator diodes,Type 2DW230~236 ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1975-10-01

SJ/T 11767-2020

二极管低频噪声参数测试方法

Measurement method of low-frequency noise parameters for diodes

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：2020-12-09  实施日期：2021-04-01

GB/T 11499-2001

半导体分立器件文字符号

Letter symbols for discrete semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2001-11-05  实施日期：2002-06-01

SJ 20141-1992

ＴＥＳ１－０１２１２ＴＴ温差电致冷组件规范

Specification for thermoelectric cooling module TES1-01212TT

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L46(温差电致冷组件与器件) | 发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

GB/T 15655-1995

超扭曲向列型液晶显示器件分规范

Sectional specification for super-twisted nematic liquid crystal display devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L49() | 实施日期：1996-04-01

SJ 1649-1980

３ＤＤ２５７型、３ＤＤ２５８型ＮＰＮ硅扩散台面低频大功率三极管

Detail specification for silicon NPN diffused mesa low-frequency high power transistors,Type 3DD257 and 3DD258

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1981-06-01

SJ 50033.46-1994

半导体分立器件 ２ＣＺ５９型硅整流二极管详细规范

Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CZ59 silicon rectifier diode

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

GB 11153-1989

激光小功率计性能检测方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1989-03-03  实施日期：1990-04-01

SJ 1807-1981

２ＣＣ１２０（１２２、１２４）～２ＣＣ４２０（４２２、４２４）型硅调* 16

Detail specification for silicon tuning variable capacitance diodes,for Type 2CC120,2CC122 and 2CC124

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1982-01-01