Detail specification for electronic component. Ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification type 3CG21B,3CG21C
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1986-05-06 实施日期：1986-12-01
Detail specification for electronic component. Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG107
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1988-06-25 实施日期：1988-12-01
Detail specification for electronic components. Case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification, type 3DD102B
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1987-03-27 实施日期：1987-11-01
Letter symbols for discrete semiconductor devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：1989-03-31 实施日期：1990-04-01
Detail specification for electronic components. Bipolar transistors for switching amplification types 3DK105A,3DK105B
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1987-01-07 实施日期：1987-09-01
Detail specification for electronic component. Ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification type 3DX201A,3DX201B,3DX201C
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1986-05-06 实施日期：1986-12-01
Detail specification for electronic component. Case-rated bipolar transistor for type 3DD201 for low-frequency amplification
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1987-03-27 实施日期：1987-11-01
Detail specification for electronic components. Ambient-rated transistor for type 3DA1514 silicon NPN for high frequency amplification
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1988-06-28 实施日期：1989-02-01
Reference methods of measurement for semiconductor devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：1986-08-28 实施日期：1987-07-01
Detail specification for electronic component. Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG3130
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1988-12-30 实施日期：1989-08-01
Detail specification for electronic component. Ambient-rated silicon rectifier diode for type 2CZ33
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 发布日期：1988-06-25 实施日期：1989-12-01
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1987-07-01
Detail specification for electronic component. Silicon voltage-regulator diodes for types 2CW380～411
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1988-06-29 实施日期：1989-03-01
Detail specification for electronic component. High frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistor of type 4CS142
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L44(场效应器件) | 发布日期：1988-12-30 实施日期：1989-08-01
The rule of type designation of liquid crystal display devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49() | 发布日期：1983-12-01 实施日期：1984-10-01
Detail specification for electronic component silicon switching diode for type 2CK120
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1988-06-25 实施日期：1988-12-01
Detail specification for electronic components. Ambint-rated bipolar transistors for high frequency amplification type 3DG80
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1987-01-07 实施日期：1987-09-01
Detail specification for electronic components low-frequency amplification transistor for silicon NPN case-rated for type 3DD205A
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1988-06-28 实施日期：1989-02-01
Detail specification for electronic components Silicon fast-switching rectifier diode for type 2CN41
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 发布日期：1986-04-16 实施日期：1987-01-01
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