Practice for Determining Safe Current Pulse Operating Regions for Metallization on Semiconductor Components
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1979-01-01
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1997-12-10
Standard Test Method for Calibration of Helium Leak Detectors by Use of Secondary Standards
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1997-12-10
Standard Guide to Interpretation of Radiographs of Semiconductors and Related Devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1996-12-10
Standard Test Method of Measurement of Common-Emitter D-C Current Gain of Junction Transistors
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1999-12-10
Standard Test Method for Use of 2N2222A Silicon Bipolar Transistors as Neutron Spectrum Sensors and Displacement Damage Monitors
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管)
Standard Specification for Gold Wire for Semiconductor Lead Bonding
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2006-01-01
Standard Guide for the Measurement of Single Event Phenomena (SEP) Induced by Heavy Ion Irradiation of Semiconductor Devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2000-06-10
Standard Test Method of Measurement of Common-Emitter D-C Current Gain of Junction Transistors
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1999-12-10
Standard Practice for Determining Safe Current Pulse-Operating Regions for Metallization on Semiconductor Components [Metric]
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1995-05-15
Standard Test Method for Radiologic Examination of Semiconductors and Electronic Components
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1995-12-10
Standard Guide to Interpretation of Radiographs of Semiconductors and Related Devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1996-12-10
Standard Classification System for Liquid Crystal Polymers (LCP)
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 实施日期：2006-03-15
Standard Practice for Radiologic Examination of Semiconductors and Electronic Components
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2014-06-01 实施日期：2014-06-01
Guide for Measurement of Ionizing Dose-Rate Burnout of Semiconductor Devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1998-05-10
Standard Guide for Application of Certified Reference Materials and Reference Wafers for Calibration and Control of Instruments for Measuring Resistivity of Silicon
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2002-07-10
Standard Guide for the Measurement of Single Event Phenomena (SEP) Induced by Heavy Ion Irradiation of Semiconductor Devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2011-10-01
Standard Guide to Interpretation of Radiographs of Semiconductors and Related Devices
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1996-12-10
Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices [Metric]
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1996-06-10
Standard Test Method for Use of 2N2222A Silicon Bipolar Transistors as Neutron Spectrum Sensors and Displacement Damage Monitors
中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：2010-10-01 实施日期：2010-10-01
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