GB 6355-1986

电子元器件详细规范 3CG21B、3CG21C型高低频放大环境额定的双极型晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component. Ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification type 3CG21B,3CG21C

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1986-05-06  实施日期：1986-12-01

GB 9500-1988

电子元器件详细规范 3DG107型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic component. Bipolar transistor for ambient-rated high-frequency amplification of type 3DG107

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1988-06-25  实施日期：1988-12-01

GB 7580-1987

电子元器件详细规范 3DD102B型低频放大管壳额定的双极型晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components. Case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification, type 3DD102B

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1987-03-27  实施日期：1987-11-01

GB/T 4931-1985

氦氖激光器系列型谱

The series and type spectrum for helium neon lasers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1985-01-29  实施日期：1985-09-01

GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：2012-12-31  实施日期：2013-06-01

GB/T 4937.15-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 15: Resistance to soldering temperature for through-hole mounted devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2018-09-17  实施日期：2019-01-01

GB/T 4937.18-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分：电离辐照(总剂量)

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 18: Ionizing radiation (total dose)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2018-09-17  实施日期：2019-01-01

GB/T 11499-2001

半导体分立器件文字符号

Letter symbols for discrete semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2001-11-05  实施日期：2002-06-01

GB 11499-1989

半导体分立器件文字符号

Letter symbols for discrete semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：1989-03-31  实施日期：1990-04-01

GB/T 15655-1995

超扭曲向列型液晶显示器件分规范

Sectional specification for super-twisted nematic liquid crystal display devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L49() | 实施日期：1996-04-01

GB 7149-1987

电子元器件详细规范 3DK105A,3DK105B型开关用双极型晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components. Bipolar transistors for switching amplification types 3DK105A,3DK105B

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1987-01-07  实施日期：1987-09-01

GB/T 11153-1989

激光小功率计性能检测方法

Parameters testing method of laser power meter in low range

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1989-03-31  实施日期：1990-04-01

GB 7576-1987

高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范(可供认证用)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1987-11-01

GB 11153-1989

激光小功率计性能检测方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1989-03-03  实施日期：1990-04-01

GB/T 4799-1984

气体激光器型号命名方法

The denominating method of type for gas lasers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L48() | 发布日期：1984-12-26  实施日期：1985-08-01

GB 9509-1988

电子元器件详细规范 3DA1514型硅NPN环境额定高频放大晶体管(可供认证用)

Detail specification for electronic components. Ambient-rated transistor for type 3DA1514 silicon NPN for high frequency amplification

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1988-06-28  实施日期：1989-02-01

GB/T 4024-1983

半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法

Measuring methods for semiconductor device--Reverse blocking triode thyristor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 发布日期：1983-12-15  实施日期：1984-10-01

GB/T 4937.31-2023

半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 31:Flammability of platic-encapsulated devices（internally induced）

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：2023-05-23  实施日期：2023-12-01

GB 6801-1986

半导体器件基准测试方法

Reference methods of measurement for semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 发布日期：1986-08-28  实施日期：1987-07-01

GB/T 36361-2018

LED加速寿命试验方法

Accelerated life test method for LED

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L45(微波、毫米波二、三极管) | 发布日期：2018-06-07  实施日期：2019-01-01