SJ 50033/85-1995

半导体分立器件ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS141 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 50033/24-1994

半导体分立器件 ３ＤＫ３１０型功率开关晶体管详细规范

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 1831-1981

３ＤＫ２８型ＮＰＮ硅外延平面小功率开关三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar low power switching transistors,Type 3DK28

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1982-05-01

SJ 790-1974

３ＤＧ１２１型ＮＰＮ硅外延平面高频小功率三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar high frequency low power transistors,Type 3DG121 ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1974-10-01

SJ 920-1974

３ＡＤ５４和３ＡＤ５５型ＰＮＰ锗低频大功率三极管

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1976-03-01

SJ 50033/23-1994

半导体分立器件 ３ＤＫ３０９型功率开关晶体管详细规范

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ/T 1832-2016

半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices.Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK102

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：2016-04-05  实施日期：2016-09-01

SJ/T 10892-1996

电子元器件详细规范 2CN31D型硅开关整流二极管（可供认证用）

Detailed specifications for electronic components - 2CN31D silicon switching rectifier diodes (Applicable for certification)

中国标准分类号： L43(半导体整流器件) ； L04(基础标准与通用方法) | 发布日期：2017-05-12  实施日期：1997-01-01

SJ 162-1965

半导体三极管β截止频率的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1965-11-17

SJ 1067-1976

３ＤＧ２００、２０１、２０２硅ＮＰＮ平面型高频小功率三极管（二、三类）

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1977-01-01

SJ 50033/22-1994

半导体分立器件 ２ＣＣ５１Ｅ型硅电调变容二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon tuning varactor diode for type 2CC51E

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 169-1965

半导体三极管反向击穿电压的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1965-11-17

SJ 50033/64-1995

半导体分立器件３ＣＤ０１０型低频大功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CD010 low-frequency and high-power transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 193-1965

硅整流二极管热阻的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1965-11-17

SJ 88-1965

硒整流堆的典型连接电路

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1965-10-01

SJ 917-1974

３ＡＤ５０型ＰＮＰ锗低频大功率三极管

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1976-03-01

SJ 310-1972

半导体大功率三极管功率增益的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管)

SJ 20055-1992

半导体分立器件 ３ＤＫ１０２型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of Type 3DK102

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 911-1974

２ＤＷ２３０～２３６型硅平面温度补偿稳压二极管

Detail specification for silicon planar temperature compensation voltage regulator diodes,Type 2DW230~236 ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1975-10-01

SJ/T 11767-2020

二极管低频噪声参数测试方法

Measurement method of low-frequency noise parameters for diodes

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：2020-12-09  实施日期：2021-04-01