Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules
中国标准分类号: L(电子元器件与信息技术) ; L40(半导体分立器件综合) | 发布日期:2021-09-28 实施日期:2021-09-30
Test specification for application reliability of insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules for high-voltage direct current (HVDC) transmission using voltage sourced converters (VSC)
中国标准分类号: L(电子元器件与信息技术) ; L40(半导体分立器件综合) | 发布日期:2021-09-28 实施日期:2021-09-30
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