SJ 790-1974

３ＤＧ１２１型ＮＰＮ硅外延平面高频小功率三极管

Detail specification for silicon NPN epitaxial planar high frequency low power transistors,Type 3DG121 ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1974-10-01

SJ 920-1974

３ＡＤ５４和３ＡＤ５５型ＰＮＰ锗低频大功率三极管

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1976-03-01

SJ/T 10892-1996

电子元器件详细规范 2CN31D型硅开关整流二极管（可供认证用）

Detailed specifications for electronic components - 2CN31D silicon switching rectifier diodes (Applicable for certification)

中国标准分类号： L43(半导体整流器件) ； L04(基础标准与通用方法) | 发布日期：2017-05-12  实施日期：1997-01-01

SJ 162-1965

半导体三极管β截止频率的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1965-11-17

BS IEC 60747-9-1998

分立半导体器件和集成电路.隔离栅二极晶体管(IGBTs)

Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) Semiconductor devices Discrete devices Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) Dispositifs a semic...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1998-12-15

SJ 1067-1976

３ＤＧ２００、２０１、２０２硅ＮＰＮ平面型高频小功率三极管（二、三类）

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1977-01-01

SJ 169-1965

半导体三极管反向击穿电压的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1965-11-17

SJ 193-1965

硅整流二极管热阻的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1965-11-17

SJ 88-1965

硒整流堆的典型连接电路

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1965-10-01

BS EN 60700-1-1999

高压直流(HVDC)电力传输半导体闸流阀.电气试验

Thyristorventile fuer HochspannungsgleichstromEnergieuebertragung. Elektrische Pruefung Thyristor valves for high voltage direct current (HVDC) power transmission Part 1:Electrical testing Valves a thy...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L43(半导体整流器件) | 实施日期：1999-02-15

SJ 917-1974

３ＡＤ５０型ＰＮＰ锗低频大功率三极管

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1976-03-01

SJ 310-1972

半导体大功率三极管功率增益的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管)

SJ 911-1974

２ＤＷ２３０～２３６型硅平面温度补偿稳压二极管

Detail specification for silicon planar temperature compensation voltage regulator diodes,Type 2DW230~236 ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 实施日期：1975-10-01

IEC 60747-12-3-1998

半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范

Semiconductor devices - Part 12-3: Optoelectronic devices - Blank detail specification for light-emitting diodes - Display application

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1998-02-26  实施日期：1998-02-26

SJ/T 11058-1996

电子元器件详细规范 4CS1421型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）

Detailed specifications for electronic components - 4CS1421 high frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistors (Applicable for certification)

中国标准分类号： L44(场效应器件) ； L04(基础标准与通用方法) | 发布日期：2010-02-25  实施日期：1997-01-01

NF C86-612/A2-1987

NF C 86-612-1981补充件2

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管)

SJ 282-1967

Ⅰ级小功率锗半导体三极管技术条件

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管)

SJ 314-1972

大功率半导体三极管直流安全工作区的检测方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管)

ITU-T S.1-1989

国际电报字母表2号 - 电报服务终端设备（第IX研究组）4页

International Telegraph Alphabet No. 2 - Telegraph Services Terminal Equipment (Study Group IX) 4 pp

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49() | 发布日期：1989-01-01 

SJ/T 11056-1996

电子元器件详细规范 4CS1191型硅高频双绝缘栅场效应晶体管（可供认证用）

Detailed specifications for electronic components - 4CS1191 high frequency silicon dual insulated-gate field-effect transistors (Applicable for certification)

中国标准分类号： L44(场效应器件) ； L04(基础标准与通用方法) | 发布日期：2010-02-25  实施日期：1997-01-01