SJ 50033/85-1995

半导体分立器件ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS141 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

SJ 50033/24-1994

半导体分立器件 ３ＤＫ３１０型功率开关晶体管详细规范

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

DIN EN 60749-4-2003

半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:湿热、稳态、高加速度作用(HAST)

Semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2003-04-01

IEC 61788-8-2010

超导性.第8部分:交流电损耗测量.用拾波线圈法在液氮温度下测量暴露于横向交流磁场中循环超导导线的交流电总损耗量

Superconductivity - Part 8: AC loss measurements - Total AC loss measurement of round superconducting wires exposed to a transverse alternating magnetic field at liquid helium temperature by a pickup c...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他) | 实施日期：2010-06-24

DIN EN 60749-6-2003

半导体器件 机械和气候试验方法 第6部分:高温储放

Semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2003-04-01

SJ 50033/23-1994

半导体分立器件 ３ＤＫ３０９型功率开关晶体管详细规范

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ/T 1832-2016

半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices.Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK102

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：2016-04-05  实施日期：2016-09-01

IEC TS 62341-6-5-2019

有机发光二极管（OLED）显示器第6-5部分：动态范围特性的测量方法

Organic light emitting diode (OLED) displays – Part 6-5: Measuring methods of dynamic range properties

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L47(其他)

IEC 60191-6-18 CORR 1-2010

半导体器件的机械标准化.第6-8部分:表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则.球状栅极阵列封装体(BGA)的设计指南

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-18: General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages - Design guide for ball grid arra...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2010-05-01

IEC 60749-44-2016

半导体设备.机械和气候试验方法.第44部分:半导体设备的中子束照射单粒子效应(SEE)试验方法

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2016-07-21

IEC 60191-2V-1998

半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸 补充20

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 2: Dimensions

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：1998-12-22

BS EN 60749-18-2003

半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐射(全部剂量) 校正14531:2003年7月1日

Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Pruefverfahren Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 18:Ionizing radiation (total dose)...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2003-03-13

DIN 41877-1971

半导体器件的6A3 型外壳. 主要尺寸

Case 6 A 3 for semiconductor devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)

IEC 60191-2 AMD 15-2006

半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸.修改件15

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 2: Dimensions

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合) | 实施日期：2006-07-01

SJ 50033/22-1994

半导体分立器件 ２ＣＣ５１Ｅ型硅电调变容二极管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon tuning varactor diode for type 2CC51E

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

IEC 60747-16-6-2019

半导体器件第16-6部分：微波集成电路倍频器

Semiconductor devices - Part 16-6: Microwave integrated circuits - Frequency multipliers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40/49() | 发布日期：2019-06-01 

IEC 60747-4 Edition 2.1-2017

半导体器件分立器件第4部分：微波二极管和晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)

IEC 60747-5-13-2021

半导体器件. 第5-13部分: 光电器件. LED封装的硫化氢腐蚀试验

Semiconductor devices - Part 5-13: Optoelectronic devices - Hydrogen sulphide corrosion test for LED packages

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L41(半导体二极管) | 发布日期：2021-06-01 

IEC 60747-8-2021

半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

Semiconductor devices – Discrete devices – Part 8: Field-effect transistors

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L44(场效应器件)

ASTM F487-2013

1%纯铝的标准规范半导体引线焊接用硅线

Standard Specification for Fine Aluminum&x2013

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)