SJ/T 2658.13-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 13: Temperature coefficient for radiant power

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L53(半导体发光器件) | 发布日期：2015-10-10  实施日期：2016-04-01

SJ 50923/1-1995

Ａ６－０２Ａ－M2/Z2和Ａ６－０１Ｂ－M1/Z1型半导体光耦合器金属外壳详细规范

Detail specification for Types A6-02A-M2/Z2 and A6-01B-M1/Z1 metal case for semiconductor photocouplers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L54(半导体光敏器件) | 发布日期：1996-06-14  实施日期：1996-10-01

SJ/T 10271-1991

电子元器件详细规范 31SG7Y14型单色显示管(可供认证用)

Detail specification for electronic components--Monochrome display tube of type 31SG7Y14 (Applicable for certification)

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L53(半导体发光器件) | 发布日期：1991-04-08  实施日期：1992-01-01

SJ 2684-1986

半导体发光（可见光）器件外形尺寸

Outline demensions for semiconductor light-emitting devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L53(半导体发光器件) | 发布日期：1986-02-18  实施日期：1986-10-01

SJ 50033/114-1996

半导体光电子器件ＧＤ３２８３Ｙ型位敏探测器详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD3283Y position sensitive detector

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L54(半导体光敏器件) | 发布日期：1996-08-30  实施日期：1997-01-01

SJ 2354.1-1983

ＰＩＮ、雪崩光电二极管光电参数测试方法 总则

General procedures of measurement for electrical and optical parameters of PIN and avalanche photodiodes

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L53(半导体发光器件) | 实施日期：1984-07-01

SJ 2214.8-1982

半导体光敏三极管暗电流的测试方法

Method of measurement for dark current voltage of semiconductor phototransistors

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L54(半导体光敏器件) | 实施日期：1983-07-01

SJ 50033/40-1994

GT11型半导体硅NPN光敏晶体管详细规范

Detail specification for type GT11 semiconductor sililcon NPN photo-transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L54(半导体光敏器件) | 发布日期：1994-09-30  实施日期：1994-12-01

SJ 20786/1-2002

半导体光电组件 CBGS2301微型双向光电定位器详细规范

Semiconductor photoelectric assembly Detail specification for miniature duplex photoelectric localizer for type CBGS 2301

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L50(光电子器件综合) | 发布日期：2002-12-12  实施日期：2003-05-01

SJ 2658.12-1986

半导体红外发光二极管测试方法 峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L53(半导体发光器件) | 发布日期：1986-01-21  实施日期：1986-10-01

SJ/T 2658.9-2015

半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 9: Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L53(半导体发光器件) | 发布日期：2015-10-10  实施日期：2016-04-01

SJ/T 2214-2015

半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

Measuring methods for semiconductor photodiode and phototransistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L54(半导体光敏器件) | 发布日期：2015-04-30  实施日期：2015-10-01

SJ 20138-1992

掺钕钇铝石榴石激光棒规范

Specification for neodymium-doped yttium aluminum garnet laser rods

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L51(激光器件) | 发布日期：1992-11-19  实施日期：1993-05-01

SJ 2215.1-1982

半导体光耦合器测试方法总则

General procedures of measurement for semiconductor photocouplers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L54(半导体光敏器件) | 实施日期：1983-07-01

SJ 20957-2006

大功率半导体激光二级管阵列通用规范

General specification for large power semiconductor laser diode array

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L51(激光器件) | 发布日期：2006-08-07  实施日期：2006-12-30

SJ/T 11845.2-2022

基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法 第2部分:光电耦合器件

Reliability evaluation methods for electronic components and devices based on low frequency noise-Part 2:Photocouplers

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L50(光电子器件综合) | 发布日期：2022-10-20  实施日期：2023-01-01

SJ 2354.13-1983

雪崩光电二极管倍增因子的测试方法

Method of measurement for multiplication factor of PIN and avalanche photodiodes

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L50(光电子器件综合) | 实施日期：1984-07-01

SJ 1870-1981

气体激光器总技术条件

General specification for gas laser devices

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L51(激光器件) | 发布日期：1981-11-23  实施日期：1982-06-01

SJ/T 10948-1996

电子元器件详细规范 FG313052、FG314053、FG313054、FG314055型半导体红色发光二极管

Detailed specifications for electronic components - FG313052, FG314053, FG313054 and FG314055 semiconductor red light emitting diodes

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L53(半导体发光器件) | 发布日期：2010-02-25  实施日期：1997-01-01

SJ/T 11405-2009

光纤系统用半导体光电子器件.第2部分:测量方法

Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications.Part 2:Measuring methods

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L50(光电子器件综合) | 发布日期：2009-11-17  实施日期：2010-01-01