GB/T 29505-2013

硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer

中国标准分类号： H(冶金) ； H80(半金属与半导体材料综合) | 发布日期：2013-05-09  实施日期：2014-02-01

QJ 10007/5-2008

宇航用半导体分立器件.3CG110、3CG130型硅高频小功率晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3CG110、3CG130 type silicon high frequency low power transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

QJ 10007/9-2008

宇航用半导体分立器件.3DG100、3DG101、3DG111、3DG112型硅高频小功率晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DG100,3DG101,3DG111,3DG112 type silicon high frequency low power transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

QJ 10007/10-2008

宇航用半导体分立器件.3DG122、3DG130型硅高频小功率晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DG122、3DG130 type silicon high frequency low power transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

GB/T 12963-1996

硅多晶

Polycrystalline silicon

中国标准分类号： H(冶金) ； H82(元素半导体材料) | 实施日期：1997-04-01

QJ 10007/1-2008

宇航用半导体分立器件.3DK9型硅开关晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DK9 type silicon switching transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

QJ 10007/6-2008

宇航用半导体分立器件.3DD56型硅功率晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DD56 type silicon power transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

QJ 10007/7-2008

宇航用半导体分立器件.3DD57型硅功率晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DD57 type silicon power transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

SJ 50033/145-2000

半导体分立器件3DA503型硅微波脉冲功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices Detail ecification for type 3DA503 silicon microwave pulse power tra istor

发布日期：2000-10-20  实施日期：2000-10-20

QJ 10007/11-2008

宇航用半导体分立器件.3DG182型硅高频小功率高反压晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DG182 type silicon high frequency low power high reverse tension transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

QJ 10007/3-2008

宇航用半导体分立器件.3DK104型硅功率开关晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DK104 type silicon power switching transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

QJ 10007/4-2008

宇航用半导体分立器件.3DK457(DK3767)型硅功率开关晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DK457 (DK3767) type silicon power switching transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

QJ 10007/8-2008

宇航用半导体分立器件.3DD159型硅功率晶体管详细规范

Detail specification for discrete semiconductor.3DD159 type silicon power transistor of space applications

中国标准分类号： V(航空、航天) ； V25(电子元器件) | 发布日期：2008-02-16  实施日期：2008-06-01

JIS C7030-1993

晶体管的测定方法

Measuring methods for transistors

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L40(半导体分立器件综合)

SJ 50033/64-1995

半导体分立器件３ＣＤ０１０型低频大功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CD010 low-frequency and high-power transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01

QJ 2617-1994

微波场效应晶体管(微波FET)管壳验收规范

发布日期：1994-03-26  实施日期：1994-10-01

SJ/T 10065-1991

电子元器件详细规范 ＢＴ３３型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）

Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT33 (Applicable for certification) ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1991-07-01

SJ/T 10064-1991

电子元器件详细规范 ＢＴ３２型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）

Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT32 (Applicable for certification) ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1991-07-01

SJ/T 10066-1991

电子元器件详细规范 ＢＴ３７型ＰＮ硅单结晶体管（可供认证用）

Detail specification for electronic components--PN silicon unijunction transistors,Type BT37 (Applicable for certification) ...

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 实施日期：1991-07-01

SJ 50033/63-1995

半导体分立器件３ＣＤ０２０型低频大功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for Type 3CD020 low-frequency and high-power transistor

中国标准分类号： L(电子元器件与信息技术) ； L42(半导体三极管) | 发布日期：1995-05-25  实施日期：1995-12-01